2SB817C-1E

2SB817C-1E ON Semiconductor


5264ena0188-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 140V 12A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB817C-1E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3L, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 120 W.

Інші пропозиції 2SB817C-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB817C-1E 2SB817C-1E Виробник : onsemi 2SB817C.pdf Description: TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 120 W
товар відсутній
2SB817C-1E Виробник : onsemi ENA0188_D-2311163.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L
товар відсутній