2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SC2873-Y(TE12L,ZC за ціною від 7.54 грн до 30.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=0.5W F=120MHZ |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |