Продукція > SANYO > 2SC3361-6-TB-E
2SC3361-6-TB-E

2SC3361-6-TB-E Sanyo

Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 110965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1567+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 1567
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3361-6-TB-E Sanyo

Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC3361-6-TB-E за ціною від 17.75 грн до 17.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3361-6-TB-E 2SC3361-6-TB-E Виробник : ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC3361-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1886+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1886