Продукція > ONSEMI > 2SC3646T-TD-E
2SC3646T-TD-E

2SC3646T-TD-E onsemi


Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.86 грн
2000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3646T-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3646T-TD-E за ціною від 9.9 грн до 38.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.65 грн
10+ 30.24 грн
100+ 21.03 грн
500+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2092+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 2092
2SC3646T-TD-E Виробник : onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.9 грн
10+ 32.85 грн
100+ 19.86 грн
500+ 15.48 грн
1000+ 12.89 грн
2000+ 11.82 грн
10000+ 9.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3646T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1340en2005-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E Виробник : ONSEMI Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E Виробник : ONSEMI Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній