2SC3647S-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 16.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3647S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 140hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SC3647S-TD-E за ціною від 11.16 грн до 56.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89 Frequency: 120MHz Case: SOT89 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89 Frequency: 120MHz Case: SOT89 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 140hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |