Продукція > ONSEMI > 2SC3647T-TD-E
2SC3647T-TD-E

2SC3647T-TD-E ONSEMI


ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.87 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 13.6 грн
3000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3647T-TD-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SC3647T-TD-E за ціною від 13.16 грн до 47.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.11 грн
10+ 35.91 грн
100+ 24.85 грн
500+ 19.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.41 грн
10+ 36.97 грн
100+ 23.38 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.61 грн
2000+ 14.02 грн
10000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.47 грн
19+ 40.31 грн
100+ 27.87 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 13.6 грн
3000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SC3647T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3647T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Frequency: 120MHz
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Frequency: 120MHz
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товар відсутній