Продукція > ONSEMI > 2SC3649S-TD-E
2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E onsemi


EN2007_D-2311156.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 16480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.38 грн
10+ 36.06 грн
100+ 25.04 грн
500+ 22.58 грн
1000+ 19.86 грн
2000+ 18.2 грн
5000+ 16.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649S-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E за ціною від 23.52 грн до 51.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 43.32 грн
100+ 29.99 грн
500+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній