2SC3649T-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 19.96 грн |
| 2000+ | 17.12 грн |
| 5000+ | 16.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3649T-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SC3649T-TD-E за ціною від 15.15 грн до 59.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3649T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC3649T-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V |
на замовлення 9132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3649T-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3649T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC3649T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SC3649T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2SC3649T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2SC3649T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |