Продукція > ONSEMI > 2SC4134S-TL-E
2SC4134S-TL-E

2SC4134S-TL-E onsemi


en2510-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.38 грн
10+ 38.29 грн
100+ 26.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4134S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC4134S-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC4134S-TL-E 2SC4134S-TL-E Виробник : ON Semiconductor EN2510-D-1803472.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SC4134S-TL-E 2SC4134S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 1746en2510-d.pdf NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON GP BJT TRANSISTOR
товар відсутній
2SC4134S-TL-E 2SC4134S-TL-E Виробник : onsemi en2510-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній