2SC5231A-8-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
на замовлення 18150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1776+ | 11.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5231A-8-TL-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SMCP, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції 2SC5231A-8-TL-E за ціною від 17.91 грн до 17.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5231A-8-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| 2SC5231A-8-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5231A-8-TL-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 18150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
2SC5231A-8-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete |
товар відсутній |