2SC536NG-NPA-AT onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1689582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6662+ | 3.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC536NG-NPA-AT onsemi
Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SC536NG-NPA-AT за ціною від 4.18 грн до 4.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC536NG-NPA-AT | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1689582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
2SC536NG-NPA-AT | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||
 |
2SC536NG-NPA-AT | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.15A 50V |
товар відсутній |