2SC5707-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 67.23 грн |
| 7+ | 56.19 грн |
| 18+ | 45.09 грн |
| 50+ | 42.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5707-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SC5707-TL-E за ціною від 28.41 грн до 85.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 328 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 9748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |