2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 11.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SC5712(TE12L,F) за ціною від 8.41 грн до 31.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2SC5712(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |