2SC5866TLR Rohm Semiconductor
на замовлення 47560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1122+ | 10.44 грн |
| 1285+ | 9.11 грн |
| 1352+ | 8.66 грн |
| 2000+ | 8.3 грн |
| 3000+ | 7.39 грн |
| 6000+ | 6.83 грн |
| 12000+ | 6.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5866TLR Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SC5866TLR за ціною від 8.41 грн до 32.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5866TLR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5866TLR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 22728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5866TLR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A |
на замовлення 8577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|