Продукція > ONSEMI > 2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E onsemi


2sa2125-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.37 грн
2000+ 11.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5964-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SC5964-TD-E за ціною від 9.81 грн до 38.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.32 грн
36+ 16.31 грн
50+ 15.64 грн
100+ 13.08 грн
250+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.09 грн
500+ 16.48 грн
1000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : onsemi EN7988_D-2310800.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.04 грн
11+ 29.1 грн
100+ 19.29 грн
500+ 15.49 грн
1000+ 12.42 грн
2000+ 10.55 грн
10000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.39 грн
10+ 29.14 грн
100+ 20.29 грн
500+ 14.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.27 грн
24+ 32.28 грн
100+ 22.09 грн
500+ 16.48 грн
1000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf
на замовлення 18595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5964-TD-E Виробник : SANYO 2sa2125-d.pdf SOT89
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній