на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 1.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC6026MFVGR,L3F за ціною від 1.26 грн до 14.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 28622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN |
на замовлення 35104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
2SC6026MFVGR,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
товар відсутній |