2SC6095-TD-E ON Semiconductor


597ena0411-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6095-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.3 W.

Інші пропозиції 2SC6095-TD-E за ціною від 21.81 грн до 51.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC6095-TD-E Виробник : ON Semiconductor 597ena0411-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC6095-TD-E Виробник : onsemi ENA0411_D-1803926.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.15 грн
10+ 44.46 грн
100+ 29.63 грн
500+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6095-TD-E Виробник : ON Semiconductor ena0411-d.pdf
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6095-TD-E Виробник : ON Semiconductor 597ena0411-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E Виробник : onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E Виробник : onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній