Продукція > ONSEMI > 2SC6099-TL-E
2SC6099-TL-E

2SC6099-TL-E onsemi

ena0435-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+27.6 грн
Мінімальне замовлення: 700
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6099-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC6099-TL-E за ціною від 18.38 грн до 55.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E Виробник : onsemi ENA0435_D-2310807.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.93 грн
10+ 51.08 грн
100+ 30.77 грн
700+ 25.64 грн
1400+ 21.84 грн
2100+ 19.45 грн
4900+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E Виробник : onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.47 грн
10+ 45.92 грн
100+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E Виробник : ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6099-TL-E Виробник : SANYO ena0435-d.pdf TO-252 08+
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E Виробник : ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E Виробник : ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній