2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR586D3TL1 за ціною від 22.27 грн до 72.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 5A Current gain: 120...390 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 200MHz Case: DPAK; TO252 |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 5A Current gain: 120...390 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 200MHz Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 909 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 3679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |