2SD1803S-E Sanyo
Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
461+ | 43.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803S-E Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: IPAK/TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1803S-E за ціною від 35.05 грн до 101.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1803S-E | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товар відсутній |