2SK2713 ROHM


2SK2713.pdf Виробник: ROHM

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2713 ROHM

Description: MOSFET N-CH 450V 5A TO220FN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK2713

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK2713 Виробник : ROHM 2SK2713.pdf 07+
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK2713 2SK2713 Виробник : Rohm Semiconductor 2SK2713.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 5A TO220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товар відсутній
2SK2713 Виробник : ROHM Semiconductor 2SK2713.pdf MOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній