Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SK2731T146
2SK2731T146

2SK2731T146 Rohm Semiconductor

2sk2731.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.28 грн
15+ 18.92 грн
100+ 11.36 грн
500+ 9.87 грн
1000+ 6.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2731T146 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK2731T146

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK2731T146 2sk2731.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK2731-T146 Виробник : ROHM SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK2731T146 2SK2731T146 Виробник : Rohm Semiconductor 2sk2731.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
товар відсутній
2SK2731T146 2SK2731T146 Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms16369-1-1742422.pdf MOSFET N-CH 30V 200MA
товар відсутній