Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SK3018T106
2SK3018T106

2SK3018T106 Rohm Semiconductor

2sk3018.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3018T106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V.

Інші пропозиції 2SK3018T106 за ціною від 3.86 грн до 30.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.69 грн
1000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.89 грн
46+ 17.19 грн
100+ 7.74 грн
500+ 5.69 грн
1000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SK3018 T106 Виробник : ROHM 04+
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT-323 06+
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT323-KN
на замовлення 184378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2SK3018_RevB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товар відсутній
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2SK3018_RevB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товар відсутній
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002830596_1-2561794.pdf MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
товар відсутній