2SK3557-6-TB-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 19.35 грн |
| 500+ | 10.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3557-6-TB-E ONSEMI
Description: JFET N-CH 5V 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current Rating (Amps): 50mA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Output: 200mW, Technology: JFET, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V, Noise Figure: 1dB, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V, Current Drain (Id) - Max: 50 mA, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Voltage - Rated: 15 V, Power - Max: 200 mW, Voltage - Test: 5 V, Current - Test: 1 mA, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V.
Інші пропозиції 2SK3557-6-TB-E за ціною від 7.86 грн до 35.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER |
на замовлення 112139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |