Продукція > ONSEMI > 30C02MH-TL-E
30C02MH-TL-E

30C02MH-TL-E onsemi

EN7364_D-2310904.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 494-503 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.27 грн
14+ 22.03 грн
100+ 10.68 грн
1000+ 7.28 грн
3000+ 6.34 грн
9000+ 6.14 грн
24000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30C02MH-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 540MHz, Supplier Device Package: 3-MCPH, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 600 mW.

Інші пропозиції 30C02MH-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
30C02MH-TL-E Виробник : ON Semiconductor 20en7364-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 600mW 3-Pin MCPH T/R
товар відсутній
30C02MH-TL-E Виробник : ON Semiconductor 20en7364-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 600mW 3-Pin MCPH T/R
товар відсутній
30C02MH-TL-E 30C02MH-TL-E Виробник : onsemi en7364-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 540MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
30C02MH-TL-E 30C02MH-TL-E Виробник : onsemi en7364-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 540MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній