3415A Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.62 грн |
15000+ | 2.33 грн |
30000+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 3415A Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V.
Інші пропозиції 3415A за ціною від 3.03 грн до 25.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3415A | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
3415A | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V |
на замовлення 6876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
3415A | Виробник : GOFORD Semiconductor | P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
3415A | Виробник : KS Terminals | KS Terminals |
товар відсутній |