Продукція > ONSEMI > 5LN01M-TL-H
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H onsemi

5LN01M.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4438+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4438
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 5LN01M-TL-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: MCP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 5LN01M-TL-H за ціною від 4.93 грн до 4.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
5LN01M-TL-H 5LN01M-TL-H Виробник : ON Semiconductor 5LN01M-D-102582.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5LN01M-TL-H Виробник : ONSEMI ONSMS35393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 5LN01M-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 6000
5LN01M-TL-H Виробник : ON Semiconductor 5LN01M.pdf
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5LN01M-TL-H 5LN01M-TL-H Виробник : onsemi 5LN01M.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товар відсутній
5LN01M-TL-H 5LN01M-TL-H Виробник : onsemi 5LN01M.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товар відсутній