SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.69 грн |
| 10+ | 45.8 грн |
| 100+ | 27.84 грн |
| 500+ | 26.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 16.7W, 31W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair®, Part Status: Active.
Інші пропозиції SIZ300DT-T1-GE3 за ціною від 69.65 грн до 80.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIRPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
SIZ300DT-T1-GE3 Код товару: 106566 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||
| SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active |
товар відсутній |