TK6A60D
Виробник:
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A60D
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK6A60D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6A60D(STA4,Q,M) Код товару: 107094 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
TK6A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |
|
 |
TK6A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
TK6A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm |
товар відсутній |
|
| TK6A60D | Виробник : Toshiba |
Toshiba |
товар відсутній |