Технічний опис A3I35D012WGNR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V.
Інші пропозиції A3I35D012WGNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3I35D012WGNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
товар відсутній |