AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 296.04 грн |
| 10+ | 262.02 грн |
| 100+ | 202.6 грн |
| 250+ | 201.93 грн |
| 500+ | 189.98 грн |
| 1000+ | 172.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Інші пропозиції AIDK12S65C5ATMA1 за ціною від 225.05 грн до 412.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIDK12S65C5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DISCRETE DIODESPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AIDK12S65C5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
AIDK12S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
AIDK12S65C5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
товар відсутній |