AOM020V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOM020V120X2.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 27A, 15V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5180 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1592.3 грн
10+ 1362.42 грн
240+ 1112.21 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOM020V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 27A, 15V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 27mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5180 pF @ 800 V.

Інші пропозиції AOM020V120X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOM020V120X2 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor AOM020V120X2.pdf AOM020V120X2
товар відсутній