AONS1R6A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.74 грн |
| 10+ | 67.43 грн |
| 100+ | 52.42 грн |
| 500+ | 41.7 грн |
| 1000+ | 33.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONS1R6A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AONS1R6A70 за ціною від 143.16 грн до 143.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AONS1R6A70 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
700V, A MOS TM N-CHANNEL POWER T AONS1R6A70 TAONS1R6A70 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| AONS1R6A70 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Power Transistor |
товар відсутній |
||||||
| AONS1R6A70 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V |
товар відсутній |