AONS32302

AONS32302 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONS32302.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 56A/220A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.1 грн
6000+ 30.35 грн
9000+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS32302 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 56A/220A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONS32302 за ціною від 31.77 грн до 80.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AONS32302 AONS32302 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS32302.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 56A/220A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 15 V
на замовлення 9822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.16 грн
10+ 63.08 грн
100+ 49.03 грн
500+ 39 грн
1000+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
AONS32302 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons32302.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
AONS32302 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons32302.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
AONS32302 AONS32302 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS32302.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; 119W; DFN8
On-state resistance: 1.35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 119W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
AONS32302 AONS32302 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS32302.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; 119W; DFN8
On-state resistance: 1.35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 119W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
товар відсутній