AOTF2916L ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 62mOhm; 17A; 23,5W; -55°C ~ 175°C; AOTF2916L TAOTF2916l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 40.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF2916L ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CH 100V 5A/17A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 23.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOTF2916L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOTF2916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|
 |
AOTF2916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|
 |
AOTF2916L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 11.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 11.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
 |
AOTF2916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A/17A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|
|
|
AOTF2916L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 11.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 11.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |