APT1001R6BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 266W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 266W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001R6BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 266W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.6Ω, Mounting: THT, Gate charge: 55nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1001R6BFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT1001R6BFLLG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
APT1001R6BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 266W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |