APT1001RBVRG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 934.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RBVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT1001RBVRG за ціною від 863.97 грн до 1183.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001RBVRG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247 |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT1001RBVRG | Виробник : Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT1001RBVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT1001RBVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT1001RBVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT1001RBVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - MOS5 APT1001 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT1001RBVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC |
товар відсутній |