APT1001RSVRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 280W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 280W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1378.55 грн |
| 2+ | 1210.89 грн |
| 3+ | 1210.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RSVRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 44A, Power dissipation: 280W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 225nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1001RSVRG за ціною від 1452.23 грн до 1654.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT1001RSVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 280W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT1001RSVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| APT1001RSVRG | Виробник : MICROSEMI |
Power MOSFET Transistor APT1001 кількість в упаковці: 31 шт |
товар відсутній |