APT150GN60JDQ4 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 536 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.2 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2607.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT150GN60JDQ4 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 220 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 536 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT150GN60JDQ4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN60JDQ4 | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT150GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V |
товар відсутній |
|
|
|
APT150GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V |
товар відсутній |
|
| APT150GN60JDQ4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 123A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT150GN60JDQ4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 123A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |