Технічний опис APT150GT120JR Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 90A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 450A, Technology: NPT; Thunderblot IGBT®, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT150GT120JR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT150GT120JR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 90A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT150GT120JR | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP |
товар відсутній |
|
 |
APT150GT120JR | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 150 A SOT-227 |
товар відсутній |
|
| APT150GT120JR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 90A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |