APT20M11JVR Microchip Technology
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M11JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 700A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 175A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 700W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS V®, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M11JVR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT20M11JVR | Виробник : APT | 175A/200V/MOS/1U |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
APT20M11JVR | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT20M11JVR | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT20M11JVR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS V® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT20M11JVR | Виробник : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 200V, 0.011_OHM, SOT-227 |
товар відсутній |
||
APT20M11JVR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS V® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |