APT30GP60BDQ1G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 587.85 грн |
| 100+ | 459.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30GP60BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 463 W.
Інші пропозиції APT30GP60BDQ1G за ціною від 535.89 грн до 1002.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 49A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 165ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 49A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 165ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
| APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROSEMI |
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT30GP60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |