APT38N60BC6 Microchip Technology
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 471.22 грн |
| 100+ | 400.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT38N60BC6 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT38N60BC6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT38N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT38N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT38N60BC6 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT38N60BC6 | Виробник : MICROSEMI |
TO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT38N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT38N60BC6 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |