AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc.


512M%20SDRAM_%20B%20die_AS4C32M16SB-7TCN-7TIN-6TIN_Rev%201.0%20June%202016.pdf Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1024.77 грн
10+ 913.52 грн
25+ 901.11 грн
40+ 835.03 грн
108+ 731.79 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc.

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції AS4C32M16SB-6TIN за ціною від 793.12 грн до 1238.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AS4C32M16SB-6TIN Виробник : Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Bdie_AS4C32M16SB_7TXN_6T-1826888.pdf DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1238.42 грн
10+ 1130.14 грн
25+ 957.36 грн
108+ 933.99 грн
216+ 801.8 грн
540+ 797.13 грн
1080+ 793.12 грн
AS4C32M16SB-6TIN AS4C32M16SB-6TIN Виробник : ALLIANCE MEMORY 512M%20SDRAM_%20B%20die_AS4C32M16SB-7TCN-7TIN-6TIN_Rev%201.0%20June%202016.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C32M16SB-6TIN AS4C32M16SB-6TIN Виробник : ALLIANCE MEMORY 512M%20SDRAM_%20B%20die_AS4C32M16SB-7TCN-7TIN-6TIN_Rev%201.0%20June%202016.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній