AS6C1008-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C1008-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36, Mounting: SMD, Case: TFBGA36, Operating voltage: 2.7...5.5V, Integrated circuit features: LPC, Kind of interface: parallel, Memory: 1Mb SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory organisation: 128kx8bit, Access time: 55ns, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS6C1008-55BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C1008-55BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
AS6C1008-55BINTR | Виробник : Alliance Memory |
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
|
| AS6C1008-55BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Mounting: SMD Case: TFBGA36 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |