AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 2.7...5.5V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS6C1016-55BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C1016-55BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 64K X 16 48-TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
AS6C1016-55BINTR | Виробник : Alliance Memory |
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16 |
товар відсутній |
|
| AS6C1016-55BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5.5V |
товар відсутній |