AS6C1616-55BIN ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C1616-55BIN ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 2.7...3.6V, кількість в упаковці: 480 шт.
Інші пропозиції AS6C1616-55BIN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C1616-55BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
товар відсутній |
|
| AS6C1616-55BIN | Виробник : Alliance Memory |
SRAM 16M 3V 55ns 1024Kx16 LP Asy SRAM |
товар відсутній |
||
| AS6C1616-55BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |