AS6C2008-55TIN

AS6C2008-55TIN Alliance Memory


AS6C2008 feb 2007-1288470.pdf Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.96 грн
10+ 251.82 грн
100+ 195.61 грн
250+ 188.93 грн
468+ 184.93 грн
1092+ 180.26 грн
2652+ 175.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6C2008-55TIN Alliance Memory

Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I, Packaging: Tray, Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 32-TSOP I, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 256K x 8.

Інші пропозиції AS6C2008-55TIN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AS6C2008-55TIN AS6C2008-55TIN Виробник : ALLIANCE MEMORY AS6C2008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C2008-55TIN AS6C2008-55TIN Виробник : Alliance Memory, Inc. AS6C2008%20feb%202007.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
AS6C2008-55TIN AS6C2008-55TIN Виробник : ALLIANCE MEMORY AS6C2008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
товар відсутній