AS6C8008B-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8008B-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 1024kx8bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 3V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS6C8008B-55BINTR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AS6C8008B-55BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1024kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3V |
товар відсутній |