AUIRF2804STRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 246.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF2804STRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AUIRF2804STRL за ціною від 136.77 грн до 403.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
AUIRF2804STRL Транзистор Код товару: 193553 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |